NAND主流制程转进40纳米以下 读写速度达1Gbps

据台湾媒体报道:NAND闪存今年主流制程将转进40纳米以下世代,新制程NAND芯片读写速度均大幅提高1倍到1Gbps以上,包括三星、东芝、英特尔等企业,将在今年美国消费性电子展(CES)中宣示跨入USB 3.0世代。
受惠NAND业者的全力支持,USB 3.0成为今年CES展当红话题。业内人士称,三星及东芝的32纳米、英特尔及美光的34纳米芯片、海力士的41纳米芯片,将陆续在第2季后陆续量产出货。

值得注意之处,是40纳米以下NAND芯片读写速度已大幅提升1倍,读取速度理论值达每秒230MB(约1.84Gbps)、写入速度理论值达每秒180MB(约1.44Gpbs),等于NAND芯片读写速度已跨入1Gbps世代。

现在普遍应用在NAND终端产品的USB 2.0接口,传输频宽最高仅480Mbps,无法适应愈来愈快的NAND芯片或记忆卡的读写速度,因此,包括三星、海力士、东芝及新帝、英特尔及美光等 NAND供货商,将于今年CES展中宣示进入USB 3.0世代。创见、威刚、劲永、金士顿等,也将推出记忆卡、随身碟、固态硬盘(SSD)等USB 3.0新产品

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