三星电子 3D DRAM 研发取得重大进展

摘要：： 三星宣布其 **3D DRAM** 技术进入样品阶段。通过将存储单元垂直堆叠，3D DRAM 能够在不增加芯片面积的前提下显著提升容量，主要针对未来 AI 服务器对高频宽、大容量内存的极端需求。
来源：： Business Korea / SamMobile